有關(guān)水熱法合成四氧化三鐵包裹硅后再包裹介孔硅
按著趙東元的水熱法合成四氧化三鐵，合成直徑約150nm，然后繼續(xù)包硅殼發(fā)現(xiàn)硅殼厚度改變不了，TEOS的量已經(jīng)很多，接著包介孔硅無論加TEOS的量是多少硅層厚度也不怎么變。
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我按照這個(gè)方法做的時(shí)候包第一層普通二氧化硅沒問題，但只要一加模版劑ctab之后最終形成的產(chǎn)物非常容易聚，并且似乎肉眼都能看到一點(diǎn)點(diǎn)顆粒，有老師知道我該怎么解決嗎
，
請問洗滌的時(shí)候一般超聲嗎