碲化鉍bi2te3的帶隙只有0.15ev，不應(yīng)該是半導(dǎo)體嗎？那為什么它是拓?fù)浣^緣體？
問一個(gè)特別小白的問題，最近看文獻(xiàn)很困擾，碲化鉍bi2te3的帶隙只有0.15ev，不應(yīng)該是半導(dǎo)體嗎？那為什么它是拓?fù)浣^緣體？拓?fù)浣^緣體內(nèi)部不是絕緣體嗎？帶隙不應(yīng)該比較大嗎還是說表面金屬態(tài)和內(nèi)部的絕緣體中和了下帶隙所以帶隙比較��？
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梢苑⑾攣南�，毋灤的以掋峨H羌甘?br /> mev稱為絕緣體了
，
少打幾個(gè)字，稱為拓?fù)浣^緣體。這就是兩個(gè)最大的不同吧
In physics, 帶隙>0ev，就應(yīng)該是撲絕緣體