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用DMF做溶劑,四正丁基高氯酸銨做支持電解質掃出來的循環(huán)伏安曲線有一對氧化還原峰 已有1人參與
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近期需要測定幾個化合物的循環(huán)伏安曲線。 在不加化合物,用DMF做溶劑,四正丁基高氯酸銨做支持電解質的條件下,儀器掃出來的循環(huán)伏安曲線有一對氧化還原峰,請問這個峰是氧氣峰嗎?因為測試前用氮氣吹掃了30min,以為可以把氧除干凈了。如果不是氧氣峰,難道是溶劑本身的氧化還原峰嗎? 三電極系統(tǒng):玻碳電極,鉑絲,銀/氯化銀。 出峰位置:-1.25V左右。(上傳不了圖片) 請大家不吝賜教。 |
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因為我沒做個這個實驗所以只能簡單幫你做一個分析。 首先,通過使用氮氣吹掃可以排除部分氧氣的存在,但并不能完全消除。即便吹掃了30分鐘,還是可能存在極微量的氧氣,特別是在實驗室環(huán)境中氧氣的存在是難以完全避免的。 在這種情況下,觀察到的氧化還原峰可能是氧氣的影響。氧氣通常在正電位處(較高的電位值)產生氧化峰,而在負電位處(較低的電位值)產生還原峰。由于你觀察到的峰出現(xiàn)在-1.25V左右,它更可能是氧氣的還原峰。這也解釋了為什么吹掃氮氣并不能完全消除這個峰,因為即便是微量的氧氣也能在實驗中引起明顯的影響。 另一方面,DMF作為溶劑本身是不易在電位上發(fā)生氧化還原反應的。因此,溶劑本身的氧化還原峰的可能性較低。更有可能的是,實驗中檢測到的氧化還原峰是由氧氣引起的。 在進行類似實驗時,為了排除氧氣的影響,可以考慮在氮氣氛圍下進行電化學測試,或者在電解質中添加還原劑,以消除氧氣的影響 |
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