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huanihaoma銀蟲 (小有名氣)
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[求助]
HD4100 PI 負(fù)性光刻膠 殘膠 已有3人參與
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| 本人采用HD4100負(fù)性光刻膠，為啥軟烘不足，顯影后會出現(xiàn)殘膠，提高軟烘溫度，殘膠就沒有了，可以從原理方面解釋嗎？ |
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3樓2019-07-15 18:25:32
2樓2019-07-15 14:38:34
bobo201266
金蟲 (正式寫手)
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涂膠后的softbake,影響光刻膠內(nèi)的溶劑含量。負(fù)膠的話，理論上不應(yīng)該有殘留。漏光或者反射光會導(dǎo)致特定區(qū)域的殘留。 發(fā)自小木蟲Android客戶端 |
4樓2019-07-15 18:37:08
yswyx 
專家顧問 (著名寫手)
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- 管轄: 微米和納米
【答案】應(yīng)助回帖
感謝參與，應(yīng)助指數(shù) +1
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前烘溫度和時間決定了光刻膠中溶劑揮發(fā)的程度。 當(dāng)前烘不足時，你的光刻膠中溶劑揮發(fā)不充分。對于負(fù)膠，你未曝光的部分僅僅發(fā)生了溶劑含量方面的改變，所以和化學(xué)放大沒有任何關(guān)系。樓上原位的那位純粹是瞎扯！ 需要被顯影的部分溶劑揮發(fā)不足，意味著顯影液和原有溶劑在爭奪光刻膠固溶物的時候發(fā)生了排斥，使得殘膠出現(xiàn)。而如果原有溶劑和顯影液是相容的，那么會出現(xiàn)曝光區(qū)域的暗蝕效應(yīng)。 |
5樓2019-07-16 14:51:32
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