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luanzx6588木蟲 (正式寫手)
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[求助]
MOCVD生長氧化鎵，為啥一般用Ar做載氣，而N2用的很少？ 已有1人參與
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求助， MOCVD生長氧化鎵，為啥一般用Ar做載氣，而N2用的很少？ 生長條件一般40mbar，800℃，富氧氣氛。 是N2分解，還是N2少量與O2反應(yīng)，或其他？ |
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mtlxl
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【答案】應(yīng)助回帖
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luanzx6588: 金幣+200, ★★★★★最佳答案 2023-08-22 10:26:22
luanzx6588: 金幣+200, ★★★★★最佳答案 2023-08-22 10:26:22
| 在氧化鎵中，HVPE用的是N2作為載氣，反應(yīng)溫度在1200攝氏度，用的Ga源是GaCl or GaCl3，O源為氧氣，所以不存在N2分解也不存在與O2反應(yīng)，N2的分解溫度和反應(yīng)溫度遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于800攝氏度。主要原因在于N2作為載氣極大降低氧化鎵的沉積速率，MO生長氧化鎵的Ga源為三甲基鎵，N2作為載氣，Ga源的擴(kuò)散系數(shù)低，再加上MO本身的沉積速率，所以不適合采用N2作為載氣。 |
3樓2023-08-21 17:33:56
mtlxl
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2樓2023-08-21 17:32:49
luanzx6588
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4樓2023-08-22 10:26:56
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