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luanzx6588木蟲 (正式寫手)
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[求助]
MOCVD生長氧化鎵，為啥一般用Ar做載氣，而N2用的很少？ 已有1人參與
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求助， MOCVD生長氧化鎵，為啥一般用Ar做載氣，而N2用的很少？ 生長條件一般40mbar，800℃，富氧氣氛。 是N2分解，還是N2少量與O2反應，或其他？ |
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2樓2023-08-21 17:32:49
【答案】應助回帖
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luanzx6588: 金幣+200, ★★★★★最佳答案 2023-08-22 10:26:22
luanzx6588: 金幣+200, ★★★★★最佳答案 2023-08-22 10:26:22
| 在氧化鎵中，HVPE用的是N2作為載氣，反應溫度在1200攝氏度，用的Ga源是GaCl or GaCl3，O源為氧氣，所以不存在N2分解也不存在與O2反應，N2的分解溫度和反應溫度遠遠高于800攝氏度。主要原因在于N2作為載氣極大降低氧化鎵的沉積速率，MO生長氧化鎵的Ga源為三甲基鎵，N2作為載氣，Ga源的擴散系數(shù)低，再加上MO本身的沉積速率，所以不適合采用N2作為載氣。 |
3樓2023-08-21 17:33:56
luanzx6588
木蟲 (正式寫手)
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- 蟲號: 732867
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- 專業(yè): 無機非金屬類光電信息與功
4樓2023-08-22 10:26:56
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