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南念sh新蟲 (初入文壇)
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[交流]
上海科技大學(xué)材料器件中心合作導(dǎo)師科研成果速遞
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上�？萍即髮W(xué)材料器件中心簡稱smdl，中心依托信息學(xué)院“電子信息”和物質(zhì)學(xué)院“材料與化工”兩個(gè)專業(yè)碩士學(xué)位點(diǎn)，與相關(guān)產(chǎn)業(yè)界聯(lián)合開展專業(yè)型碩士培養(yǎng)工作，致力于培育理論扎實(shí)、技術(shù)過硬的微納制造工藝工程技術(shù)人才，真正滿足產(chǎn)業(yè)一線的實(shí)際用人需求。預(yù)計(jì)2027年起在讀研究生總?cè)藬?shù)將達(dá)到每年150人。 2025年度，上科大材料器件中心（smdl）支撐用戶發(fā)表且致謝平臺(tái)的科研成果共113篇，發(fā)表在nature materials、nature photonics、elight、light: science and applications、acs nano、small等期刊上。以下是部分用戶科研成果精選展示（排名不分先后）。 陳佰樂課題組成功研制出首款全芯片集成的光生微波振蕩器 論文題目：a chip-integrated comb-based microwave oscillator 發(fā)表期刊：light-science & applications 出版日期：2025-04-30 陳佰樂團(tuán)隊(duì)成功研制出首款全芯片集成的、基于微腔光頻梳的微波振蕩器。該器件將分布式反饋（dfb）激光器芯片、高品質(zhì)氮化硅微腔芯片和高速光電探測器芯片進(jìn)行混合集成，在分米級(jí)尺度的芯片上同時(shí)實(shí)現(xiàn)了窄線寬激光器、相干微腔光頻梳與低噪聲微波源的三位一體集成。每個(gè)單獨(dú)的芯片性能均達(dá)到業(yè)界標(biāo)桿，同時(shí)該芯片系統(tǒng)可通過成熟的半導(dǎo)體cmos和iii-v族工藝實(shí)現(xiàn)低成本量產(chǎn)。smdl支持設(shè)備與技術(shù)等情況：高速高分辨率無掩膜板光刻儀mla、等離子刻蝕系統(tǒng) 三五族刻蝕機(jī)、反應(yīng)離子刻蝕系統(tǒng)、化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)pecvd、電子束沉積系統(tǒng)等 doi：10.1038/s41377-025-01795-0
馮繼成課題組開發(fā)出下一代芯片金屬互連智造方案 論文題目：wafer-scale nanoprinting of 3d interconnects beyond cu 發(fā)表期刊：acs nano 出版日期：2025-04-23 馮繼成課題組開發(fā)了不受材料限制，且兼具納米級(jí)加工精度與晶圓級(jí)加工通量的新型金屬互連方案，利用其加工的au、ir與ru三維金屬互連可達(dá)到理論預(yù)測的導(dǎo)電性能。該方法利用“人工閃電”創(chuàng)制帶電金屬納米顆粒，通過氣流將其攜帶進(jìn)入預(yù)設(shè)構(gòu)型的空間電場中，將納米顆粒原位打印成高純、多級(jí)、多材料、高精度和晶圓級(jí)的3d納米互連結(jié)構(gòu)，最小三維結(jié)構(gòu)的特征尺度已至17 nm。除納米級(jí)加工精度外，該策略兼具低成本的優(yōu)勢，相較于主流大馬士革工藝（絕緣層刻蝕╟ cu填充╟平坦化）的金屬互連制造方案，可節(jié)省3個(gè)量級(jí)能源消耗和提高5個(gè)量級(jí)的材料利用率。通過程控化定制電場空間構(gòu)型，該工作中成功打印了不同尺度的ru、ir和au材料的互連結(jié)構(gòu)，并展示了“臺(tái)階式”的三維互連，為未來芯片立體集成提供了可行方案。smdl支持設(shè)備與技術(shù)等情況：高速高分辨率無掩膜板光刻儀mla等 doi：10.1021/acsnano.5c00720
寇煦豐課題組實(shí)現(xiàn)對本征磁性拓?fù)浣^緣體的可控剪裁 論文題目：tunable chiral magneto-transport through band structure engineering in magnetic topological insulators mn(bi1-xsbx)2te4 發(fā)表期刊：science advances 出版日期：2025-05-16 寇煦豐課題組利用分子束外延生長技術(shù)制備了一系列高質(zhì)量的2英寸mn(bi1-xsbx)2te4薄膜。結(jié)合基于密度泛函理論的第一性原理計(jì)算，團(tuán)隊(duì)發(fā)現(xiàn)隨著銻（sb）摻雜比例的提高，mn(bi1-xsbx)2te4的能帶結(jié)構(gòu)發(fā)生顯著演化，誘導(dǎo)出一個(gè)從拓?fù)浞瞧接箲B(tài)向平庸態(tài)的拓?fù)湎嘧�，其對�?yīng)的反�；魻栯妼�(dǎo)（anomalous hall conductance，ahc）也會(huì)出現(xiàn)極性翻轉(zhuǎn)。同時(shí)還觀測到該材料體系的自旋紋理結(jié)構(gòu)手性變化會(huì)誘導(dǎo)二次諧波霍爾響應(yīng)信號(hào)的極性反轉(zhuǎn)。本工作揭示了能帶工程在實(shí)現(xiàn)本征磁性拓?fù)浣^緣體材料電子能帶結(jié)構(gòu)，表面態(tài)自旋紋理以及拓?fù)湮镄哉{(diào)控方面的巨大潛力，不僅為探索非線性輸運(yùn)現(xiàn)象提供了理想模型，也為基于自旋手性和拓?fù)渥杂啥鹊牡凸牧孔悠骷於藞?jiān)實(shí)基礎(chǔ)。smdl支持設(shè)備與技術(shù)等情況：高速高分辨率無掩膜板光刻儀mla、雙離子源刻蝕系統(tǒng)、電子束沉積系統(tǒng)、勻膠通風(fēng)櫥等 doi：10.1126/sciadv.adt6084
原文詳見鏈接：https://mp.weixin.qq.com/s/95zCUKWbv6iOLUXateHr4w |
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