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光生陰極保護和光催化氧化是否矛盾吶?
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光生陰極保護和光催化氧化都是通過紫外光激發(fā)N型半導體,產生光生電子和光生空穴。在光生陰極保護的文章里,寫到的是電子轉移到金屬表面,起到陰極保護的作用。在光催化氧化的文章里(Sic的化學機械拋光里應用比較廣泛),寫到光生空穴的強氧化性,產生羥基自由基,將SiC氧化,從而提高去除速率。我就在納悶,光生陰極保護里就不會產生羥基自由基然后氧化金屬?那氧化和保護不是互相矛盾嗎?而且為什么光生陰極保護為什么不用碳鋼,都用不銹鋼啊,碳鋼難道不是更需要保護的? 發(fā)自小木蟲Android客戶端 |
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085600 英一數二272求調劑
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vida_a 2026-03-01 | 43/2150 |
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[考研] 一志愿華中科技大學,化學專業(yè)344分,求調劑 +6 | 邢xing1 2026-03-02 | 6/300 |
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材料270求調劑
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Eiiiio 2026-03-01 | 11/550 |
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[考研] 268求調劑 +10 | 簡單點0 2026-03-02 | 14/700 |
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[考研]
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glwshine 2026-03-02 | 5/250 |
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[考研] 278求調劑 +3 | 滿天星11_22 2026-03-02 | 3/150 |
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[考研]
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5+8
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,。 2026-03-02 | 10/500 |
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[考研] 材料工程求調劑 +3 | 1431251 2026-03-03 | 3/150 |
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[基金申請]
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xhuama 2026-03-02 | 9/450 |
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[考研] 288求調劑 +3 | 少71.8 2026-03-02 | 5/250 |
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[考研] 290分材料工程085601求調劑 數二英一 +8 | llx0610 2026-03-02 | 9/450 |
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