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[求助]
關于半導體的摻雜與能級位置變化的關聯(lián)
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| 對于一個半導體材料，摻雜是如何影響VBM或者CBM的？有沒有什么規(guī)律可循？換言之，摻雜材料的功函數(shù)高低、導電類型等和半導體的VBM或CBM發(fā)生了升降變化之間是怎么樣的內(nèi)在關聯(lián)，期待得到解答，謝謝了 |
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2樓2020-11-17 13:37:58
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