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用AAO電沉積Ni時遇到的問題 已有2人參與
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我用aao作為模版在0.1M/L硫酸鎳溶液中,電沉積Ni,沉積電壓3v,后來發(fā)現(xiàn)加入氯化鈉或者硫酸鈉后,能明顯提高電流密度,個人認為加入這兩者物質后促進了氫氣的生長速率,但是不知道本質的原因是什么,哪位大神能說下原因謝謝! @Gamry-電化學 @a88592718 發(fā)自小木蟲IOS客戶端 |
至尊木蟲 (文壇精英)
葛城?{美

金蟲 (職業(yè)作家)
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很有意思的方向,下面是篇綜述,其中提到Ni 在AAO 上的沉積, https://pdfs.semanticscholar.org ... 36b550c51008a3e.pdf 下面一篇論文: https://sundoc.bibliothek.uni-ha ... /07/07H156/prom.pdf 添加的一點是:加入氯化鈉或者硫酸鈉,會提高電解質導電率,也就是所謂的支持電解質,導致加在AAO電極上的實際電位提高,進而提高了電流密度,當然也或許貢獻了氫氣還原的程度。 至于氫氣還原反應,可以調試pH 來調整,下面的文獻告訴電解質的影響. https://www.researchgate.net/pub ... dium_Lauryl_Sulfate |
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